近日，一项关于12英寸碳化硅衬底的关键技术取得突破性进展。由西湖大学孵化的杭州西湖仪器技术有限公司成功研发出自动化激光剥离技术，有效解决了超大尺寸碳化硅衬底切片的技术难题。
碳化硅材料因其优异的物理特性，在半导体和新能源领域具有重要应用价值。与传统硅材料相比，碳化硅拥有更宽的禁带能隙、更高的熔点、电子迁移率和热导率，能够在高温和高电压环境下稳定运行。
据西湖大学工学院专家介绍，目前碳化硅衬底的成本较高，严重制约了其在相关领域的广泛应用。通过增大衬底尺寸是降低生产成本的重要途径之一。12英寸碳化硅衬底能够显著提升芯片产量，从而降低单个芯片的制造成本。
市场研究显示，全球碳化硅功率器件市场规模预计将在未来几年持续增长，年复合增长率保持在33.5%以上。随着市场需求的增长，国内企业也在积极推进12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底的研发和生产。
西湖仪器此前已推出8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备，并迅速响应市场对更大尺寸产品的需求，成功开发出超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术。该技术将超快激光加工技术应用于碳化硅衬底的制造过程。
新技术实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工和衬底剥离等工艺的自动化操作。与传统切割方式相比，激光剥离技术显著降低了材料损耗，在提高生产效率的同时也减少了成本。
这一技术创新不仅缩短了衬底产品的生产周期，还为未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产奠定了基础，将有助于推动整个行业的降本增效进程。
责编：戴露露
